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- 型号： 3EZ10D5E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ10D5E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ10D5E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ10D5E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ10D5E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ10D5E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ10D5E3/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的 10V、3W 表面贴装齐纳二极管，采用 DO-214AC（SMA）封装，具有±5%电压容差、低动态阻抗和良好热稳定性。 其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为精密模拟电路（如传感器信号调理、ADC/DAC参考源）提供稳定10V基准电压； 2. 过压保护（OVP）：在电源输入端或敏感IC供电轨上，配合限流电阻实现钳位保护，防止瞬态高压损坏后级器件； 3. 浪涌抑制：用于工业控制、通信接口（如RS-485收发器供电端）中吸收ESD或感应浪涌能量； 4. 电源反馈环路：在低成本线性稳压器或开关电源的反馈分压网络中作为基准元件； 5. 电池管理与检测：在12V铅酸或锂电系统中用于欠压/过压阈值检测电路。 该器件具备AEC-Q200兼容版本（部分批次），适用于汽车电子（如车身控制模块、照明驱动）及工业自动化等对可靠性要求较高的场景。其3W功率能力使其在持续功耗适中的场合优于小功率齐纳管，但需注意PCB散热设计以确保长期可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 10V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ10D5E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 7.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 10V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 3.5 欧姆 |
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