Datasheet下载- 型号： 3EZ10D2E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ10D2E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ10D2E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ10D2E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ10D2E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ10D2E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ10D2E3/TR8 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）生产的 10V、3W 表面贴装齐纳二极管，采用 DO-214AC（SMA）封装，具有±2%精密容差（“D”档）、高可靠性及AEC-Q200兼容性（部分批次）。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为传感器、ADC/DAC、精密运放等提供稳定10V参考电压，适用于工业控制、测试仪器和医疗电子中对基准精度要求较高的场合。 2. 过压保护（OVP）：与TVS或限流电阻配合，用于电源输入端的钳位保护，防止瞬态浪涌（如ESD、EFT）损坏后级LDO或MCU，常见于通信设备、车载充电模块及工业电源接口。 3. 反馈回路稳压：在开关电源（如反激式适配器）的光耦反馈路径中，作为次级侧电压采样基准，提升输出电压精度与负载调整率。 4. 汽车电子辅助电路：凭借宽温范围（-65°C 至 +175°C）及高可靠性，适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块中的电源监控与稳压电路（需符合AEC-Q200标准时选用对应认证批次）。 该器件强调低动态阻抗、良好温度稳定性（TC ≈ ±0.075%/°C）及长期参数漂移小，适合对稳定性与寿命有严苛要求的中高功率嵌入式系统。注意：TR8表示卷带包装，适用于自动化贴片生产。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 10V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ10D2E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 7.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 10V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 3.5 欧姆 |
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