Datasheet下载- 型号： 3EZ100D10E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ100D10E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ100D10E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ100D10E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ100D10E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ100D10E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的型号3EZ100D10E3/TR8是一款额定功率3W、标称齐纳电压100V、容差±5%的单齐纳二极管，采用DO-41封装，卷带包装（TR8）。其主要应用场景包括： 1. 过压保护：常用于电源输入端或敏感电路前端，作为瞬态电压抑制（TVS）辅助器件，配合压敏电阻或TVS二极管，钳位异常高压（如雷击感应、开关浪涌），防止后级IC或MOSFET损坏。 2. 稳压基准：在中等精度、非隔离式线性稳压电路中，为误差放大器、比较器或ADC提供100V参考电压（需限流电阻配合），适用于工业控制、仪表电源模块等对成本敏感且无需高精度的场合。 3. 浪涌吸收与箝位：在继电器线圈、感性负载驱动电路中，反向并联于负载两端，吸收关断时产生的反电动势，保护驱动晶体管（如BJT/MOSFET）免受击穿。 4. 高压偏置与分压网络：在高压模拟电路（如光电倍增管供电、激光驱动器）中，作为分压/偏置链中的稳压节点，提升系统稳定性。 需注意：该器件最大功耗3W，须确保实际功耗（Vz×Iz）留有余量，并配合适当散热；不适用于高频或精密基准应用。典型工作电流建议5–50mA，避免低电流下动态阻抗升高影响稳压性能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 100V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ100D10E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 76V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 100V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 160 欧姆 |
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