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  • 型号: 3EZ100D10E3/TR12
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ100D10E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ100D10E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ100D10E3/TR12封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载3EZ100D10E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有3EZ100D10E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Microsemi Corporation(现为Microchip Technology旗下)的3EZ100D10E3/TR12是一款100V、1.3W高功率齐纳二极管(单管),采用DO-41封装,具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括:

1. 过压保护与稳压:常用于电源输入端或敏感电路前级,作为瞬态电压抑制(TVS)辅助器件或精密稳压参考点,配合限流电阻实现简单可靠的100V基准稳压。

2. 工业控制与电源系统:适用于开关电源(SMPS)的反馈环路参考、DC-DC转换器输出电压钳位、继电器/接触器线圈续流保护中的反向电压箝位。

3. 通信与测试设备:在基站电源模块、仪器仪表的高压偏置电路中提供稳定基准电压;亦可用于信号链前端的电平限制,防止ADC或运放输入过压损坏。

4. 汽车电子(非AEC-Q200认证版本需谨慎):适用于车载后装设备、车载充电器等对可靠性要求适中的12V/24V系统中,进行浪涌吸收或稳压参考(须结合外部设计满足EMC及温度要求)。

该器件工作结温范围宽(-65℃~+175℃),适合高温环境应用;TR12表示卷带包装,适用于自动化贴片生产。需注意:实际使用时须确保功耗不超过1.3W(即电流≤13mA@100V),并合理布局散热路径。不推荐用于高频或大能量ESD防护主通道,应配合专用TVS或气体放电管协同使用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 3W 100V 10% DO-41

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf

产品图片

产品型号

3EZ100D10E3/TR12

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 200mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

500nA @ 76V

供应商器件封装

DO-41

功率-最大值

3W

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

容差

±10%

封装/外壳

DO-204AL,DO-41,轴向

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

4,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

100V

阻抗(最大值)(Zzt)

160 欧姆

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