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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2SK932-23-N-TB-E由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK932-23-N-TB-E价格参考。ON Semiconductor2SK932-23-N-TB-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SK932-23-N-TB-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SK932-23-N-TB-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor 的 2SK932-23-N-TB-E 是一款N沟道MOSFET,属于射频(RF)场效应晶体管类别。该器件主要用于高频信号放大和射频功率应用,适用于需要高增益、低噪声和良好线性度的场景。 典型应用场景包括: 1. 无线通信设备:用于UHF频段的射频放大器,如基站前端模块、中继器和无线收发系统; 2. 广播与电视发射系统:在VHF/UHF频段作为小信号或驱动放大器,支持稳定的信号输出; 3. 工业与汽车电子:应用于雷达系统、遥控装置及车载通信模块中的射频处理电路; 4. 消费类射频产品:如无线麦克风、对讲机等短距离通信设备中的功率放大级。 2SK932-23-N-TB-E 具有良好的高频特性与热稳定性,适合在紧凑型高密度电路中使用。其封装形式有利于散热,可在较宽温度范围内稳定工作,适用于对可靠性要求较高的工业和通信环境。总体而言,该器件是一款适用于中低功率射频放大任务的通用型MOSFET,广泛服务于各类模拟射频系统。