Datasheet下载- 型号： 2SD2537T100V
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SD2537T100V由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SD2537T100V价格参考。ROHM Semiconductor2SD2537T100V封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SD2537T100V参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SD2537T100V 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor（罗姆半导体）的型号为2SD2537T100V的晶体管属于双极型晶体管（BJT），其应用场景主要包括以下几类： 该晶体管常用于电源管理、开关电路和功率放大电路中，适合需要中高功率处理能力的设计。由于其具有较高的耐压特性（100V），适用于如DC-DC转换器、电机驱动电路、继电器驱动以及各类工业控制设备。 此外，2SD2537T100V也广泛应用于消费类电子产品，如电视、音响设备和电源适配器中，作为开关元件或功率放大元件使用。 在汽车电子系统中，该器件也可用于车载电源系统、照明控制或传感器驱动等场景，满足车载环境对稳定性和可靠性的要求。 综上，2SD2537T100V凭借其良好的电气性能和稳定性，适用于多种中高功率的电子电路设计，尤其适合工业控制、消费电子和汽车电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 25V 1.2A SOT-89两极晶体管 - BJT NPN 25V 1.2A |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor 2SD2537T100V- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SD2537T100V |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 10mA，500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 820 @ 500mA，5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | Transistors |
| 供应商器件封装 | MPT3 |
| 其它名称 | 2SD2537T100V-ND |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 12 V |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 200 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 封装/箱体 | SOT-89 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 2 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 2 A |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 25V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1.2A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 1800 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 820 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 25 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 30 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.3 V |
| 集电极连续电流 | 1.2 A |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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