数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2SD2211T100R由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SD2211T100R价格参考。ROHM Semiconductor2SD2211T100R封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SD2211T100R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SD2211T100R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
罗姆半导体(Rohm Semiconductor)生产的2SD2211T100R是一款双极型晶体管(BJT),属于NPN型。该型号的晶体管广泛应用于需要高效放大和开关功能的电子电路中,其主要应用场景包括: 1. 功率放大器:2SD2211T100R具有较高的电流增益和良好的热稳定性,适合用于音频功率放大器、射频(RF)功率放大器等设备中,提供稳定且高效的信号放大。 2. 开关电路:由于其快速的开关特性和高耐压能力,该晶体管常被用作开关元件,在电源管理模块、继电器驱动、LED驱动等领域发挥重要作用。 3. 电机控制:在小型电机驱动电路中,这款晶体管可以作为驱动级或输出级元件,用于控制电机的启动、停止及速度调节。 4. 信号调节与传输:在通信设备中,2SD2211T100R可用于信号调节和传输,确保信号的完整性并减少失真。 5. 保护电路:在过流保护、过温保护等安全电路设计中,该晶体管能够实现精准的电流检测和控制,从而保护整个系统免受损害。 总之,2SD2211T100R凭借其优异的电气性能和可靠性,适用于多种工业、消费类电子产品以及汽车电子领域中的关键电路设计。选择合适的外围元件并与之匹配,可进一步提升其应用效果。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS DVR NPN 160V 1.5A SOT89 TR两极晶体管 - BJT DVR NPN 160V 1.5A |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ROHM Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor 2SD2211T100R- |
数据手册 | |
产品型号 | 2SD2211T100R |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 2V @ 100mA,1A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 180 @ 100mA,5V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | MPT3 |
功率-最大值 | 2W |
包装 | 带卷 (TR) |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | ROHM Semiconductor |
增益带宽产品fT | 80 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-243AA |
封装/箱体 | SOT-89 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 2000 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 1.5 A |
标准包装 | 1,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 160V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 1.5A |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 180 at 0.1 A at 5 V |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 180 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 160 V |
集电极—基极电压VCBO | 160 V |
集电极连续电流 | 1.5 A |
频率-跃迁 | 80MHz |