Datasheet下载- 型号： 2SD2150T100R
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SD2150T100R由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SD2150T100R价格参考。ROHM Semiconductor2SD2150T100R封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SD2150T100R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SD2150T100R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的2SD2150T100R是一款双极结型晶体管（BJT），属于NPN型功率晶体管，广泛应用于需要中高功率放大的电路中。该器件具有较高的电流和电压承受能力，适合在电源管理、电机驱动、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器及逆变器等场景中使用。 典型应用包括家用电器中的电机控制模块，如空调、洗衣机和风扇的驱动电路；也可用于工业控制设备中的功率开关和信号放大功能。由于其良好的热稳定性和可靠性，2SD2150T100R也常被用于汽车电子系统中的辅助电源模块或车载设备的功率调节部分。 此外，该晶体管适用于各类模拟放大电路和高速开关电路，尤其在需要低饱和压降和高增益性能的场合表现优异。其封装形式（如T100R）便于散热安装，适合紧凑型高密度电路设计。 综上所述，2SD2150T100R主要应用于消费电子、工业控制、汽车电子和电源系统等领域，是一款可靠且高效的功率开关与放大元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 20V 3A SOT-89两极晶体管 - BJT NPN 20V 3A |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor 2SD2150T100R- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SD2150T100R |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 100mA，2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 180 @ 100mA，2V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | MPT3 |
| 其它名称 | 2SD2150T100RDKR |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 290 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 封装/箱体 | SC-62 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 0.5 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 3 A |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 20V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 3A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100µA （ICBO） |
| 直流电流增益hFE最大值 | 560 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 20 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 40 V |
| 集电极连续电流 | 3 A |
| 频率-跃迁 | 290MHz |
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