Datasheet下载- 型号： 2SD1801S-E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SD1801S-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SD1801S-E价格参考。ON Semiconductor2SD1801S-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SD1801S-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SD1801S-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SD1801S-E是由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款NPN型双极性晶体管（BJT），属于单晶体管类别。该晶体管常用于高频放大和开关应用，具有良好的频率响应和稳定性能，适用于对信号放大和快速开关有较高要求的电路设计。 其主要应用场景包括： 1. 射频（RF）放大电路：2SD1801S-E具有较高的截止频率（fT），适合用于射频信号的前置放大，常见于无线通信设备、接收机和发射机中。 2. 音频放大器：该晶体管可用于音频功率放大电路的前级放大部分，提供良好的线性放大性能，适用于音响设备和音频处理模块。 3. 高速开关电路：由于其较快的开关特性，适用于DC-DC转换器、脉宽调制（PWM）控制电路和数字开关电路中。 4. 工业控制设备：在工业自动化系统中，作为信号处理和驱动电路的一部分，用于传感器信号放大或继电器、LED等负载的开关控制。 5. 消费类电子产品：如电视机、音响、小家电等设备中的电源管理和信号处理电路。 综上，2SD1801S-E因其高频特性和稳定性能，广泛应用于通信、音频、工业控制等多个领域，尤其适合需要高频响应和中低功率放大的场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN BIPO 2A 50V TP两极晶体管 - BJT BIP NPN 2A 50V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2SD1801S-E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SD1801S-E |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 400mV @ 50mA，1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 140 @ 100mA，2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TP |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | 散装 |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 封装/箱体 | TO-251 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 0.8 W |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
| 系列 | 2SD1801 |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 2 A |
| 频率-跃迁 | 150MHz |
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