Datasheet下载- 型号： 2SC5964-TD-H
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SC5964-TD-H由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SC5964-TD-H价格参考。ON Semiconductor2SC5964-TD-H封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SC5964-TD-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SC5964-TD-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为2SC5964-TD-H的晶体管由ON Semiconductor生产，属于双极性晶体管（BJT）中的NPN型。该晶体管主要设计用于高频放大应用，特别是在无线通信和射频（RF）领域中表现优异。 其典型应用场景包括： 1. 射频功率放大器：适用于移动通信基站、无线基础设施设备中的信号放大，具有良好的线性和高增益特性，有助于提高信号传输质量。 2. 高频振荡器与混频器：在通信设备中作为振荡电路或混频电路的核心元件，实现频率变换或信号调制解调功能。 3. 低噪声前置放大器：用于接收机前端，对微弱信号进行初步放大，降低系统整体噪声系数。 4. 工业控制与传感器电路：在需要高速开关或模拟信号处理的工业自动化系统中也有广泛应用。 该晶体管采用SOT-89封装，具备良好的热稳定性和可靠性，适合表面贴装工艺，广泛应用于通信、工业及消费类电子产品中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN BIPO 3A 50V两极晶体管 - BJT |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2SC5964-TD-H- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SC5964-TD-H |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 290mV @ 100mA，2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 100mA，2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | PCP |
| 功率-最大值 | 3.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 封装/箱体 | SOT-89 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 1.3 W |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 3A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA （ICBO） |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 |
| 系列 | 2SC5964 |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 3 A |
| 频率-跃迁 | 380MHz |
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