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详细数据请看参考数据手册
- 型号： 2SC5242-R(Q)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SC5242-R(Q)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SC5242-R(Q)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SC5242-R(Q)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SC5242-R(Q)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SC5242-R(Q) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 品牌 | Toshiba |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | 两极晶体管 - BJT Transistor NPN 230V 15A |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/docget.jsp?pid=2SC5242&lang=en&type=datasheet |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Toshiba 2SC5242-R(Q) |
| 产品型号 | 2SC5242-R(Q) |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | Toshiba |
| 增益带宽产品fT | 30 MHz |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/箱体 | TO-3P-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 最大功率耗散 | 130 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 15 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 直流电流增益hFE最大值 | 110 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 55 |
| 系列 | 2SC5242 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 230 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 230 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.4 V |
| 集电极连续电流 | 15 A |
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