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Datasheet下载- 型号： 2SB1260T100R
- 制造商： ROHM Semiconductor
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2SB1260T100R产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SB1260T100R由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SB1260T100R价格参考。ROHM Semiconductor2SB1260T100R封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 80V 1A 100MHz 2W 表面贴装 MPT3。您可以下载2SB1260T100R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SB1260T100R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的2SB1260T100R是一款双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类别。其主要应用场景包括： 1. 功率放大器：该型号的晶体管适用于音频和射频功率放大器中，能够提供高增益和大电流输出，满足高功率应用需求。 2. 开关电路：由于其出色的开关特性和耐压能力，2SB1260T100R可用于各种开关电路中，例如继电器驱动、电机控制等场景。 3. 电源管理：在直流-直流转换器、稳压电源等电源管理系统中，这款晶体管可以作为关键元件，用于调节电压或电流。 4. 工业控制：在工业自动化设备中，该晶体管可用于控制高负载设备，如电磁阀、步进电机等，确保稳定可靠的操作。 5. 通信设备：在通信领域，2SB1260T100R可用于信号放大和处理，支持高效的通信传输。 这款晶体管具有较高的集电极-发射极电压（Vce）和集电极电流（Ic）参数，使其能够在高压和大电流环境下工作，非常适合需要高性能和高可靠性的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PNP 80V 1A SOT-89两极晶体管 - BJT PNP 80V 1A |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor 2SB1260T100R- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SB1260T100R |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 400mV @ 50mA，500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 180 @ 100mA，3V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | MPT3 |
| 其它名称 | 2SB1260T100R-ND |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 封装/箱体 | SOT-89 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 0.5 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 1 A |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 80V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 390 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 82 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 80 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 80 V |
| 集电极连续电流 | - 1 A |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
