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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2SB1203S-TL-E由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SB1203S-TL-E价格参考。ON Semiconductor2SB1203S-TL-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SB1203S-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SB1203S-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor生产的2SB1203S-TL-E是一款P沟道双极结型晶体管(BJT),属于通用放大和开关应用的中功率晶体管。该器件常用于需要中等电流和电压控制的电子电路中。 其主要应用场景包括:电源管理电路中的开关控制,如DC-DC转换器、稳压电源模块;小型电机驱动电路,用于家用电器或办公设备中的马达启停控制;LED驱动电路,实现亮度调节与通断控制;以及各类信号放大电路,如音频前置放大或传感器信号调理电路。 此外,2SB1203S-TL-E也广泛应用于消费类电子产品,如电视、音响设备、充电器和适配器中,作为接口驱动或继电器驱动的控制元件。由于其具备良好的热稳定性和可靠性,适合在工业控制、汽车电子外围电路及电源开关模块中使用。 该晶体管采用小型表面贴装封装(如SOT-223或类似),节省电路板空间,适合高密度组装的现代电子设备。其“-TL-E”后缀表明为卷带包装,适用于自动化贴片生产,提升制造效率。 综上,2SB1203S-TL-E凭借稳定的性能和紧凑的封装,广泛用于消费电子、工业控制和电源管理等领域,适用于中低频开关与放大任务。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP BIPO 5A 50V TP-FA两极晶体管 - BJT BIP PNP 5A 50V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2SB1203S-TL-E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SB1203S-TL-E |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 550mV @ 150mA,3A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 70 @ 500mA,2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 2-TP-FA |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 发射极-基极电压VEBO | - 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 130 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | SC-63 |
| 工厂包装数量 | 700 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 20 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | - 8 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 700 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 5A |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 400 |
| 系列 | 2SB1203 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 50 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 60 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 0.28 V |
| 集电极连续电流 | - 5 A |
| 频率-跃迁 | 130MHz |