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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2SA1162S-Y,LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SA1162S-Y,LF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SA1162S-Y,LF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SA1162S-Y,LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SA1162S-Y,LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 2SA1162S-Y,LF 的晶体管属于 Toshiba Semiconductor and Storage(东芝半导体与存储) 旗下的 双极型晶体管(BJT),是一款 PNP型晶体管。它通常用于以下应用场景: 该晶体管常用于 音频放大电路、功率开关电路以及各类模拟电路中,适合对电流控制要求较高的场合。由于其良好的频率响应特性,也适用于 低频放大器和信号处理电路 中。 此外,该器件因其稳定性和可靠性,广泛应用于 消费类电子产品,如音响设备、电视、电源管理模块等。在工业控制领域,也可用于 继电器驱动、马达控制或传感器信号放大 等场景。 该晶体管采用 小外形封装(SOT-89),便于贴片安装,适合高密度组装的电路板设计,适用于大批量自动化生产。 总结: 2SA1162S-Y,LF 主要应用于音频放大、开关控制、信号处理等电子电路中,适用于消费电子与工业控制等多种场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANSISTOR PNP 50V 150MA S-MINI两极晶体管 - BJT SM Sig PNP Trans VCEO -50V IC -150mA |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
产品手册 | |
产品图片 | |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Toshiba 2SA1162S-Y,LF- |
数据手册 | |
产品型号 | 2SA1162S-Y,LF2SA1162S-Y,LF |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 10mA,100mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 70 @ 2mA,6V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30223 |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | S-Mini |
其它名称 | 2SA1162S-YLFDKR |
功率-最大值 | 150mW |
包装 | Digi-Reel® |
发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
商标 | Toshiba |
增益带宽产品fT | 80 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SC-59 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP |
最大功率耗散 | 150 mW |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 150mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 70 |
集电极—发射极最大电压VCEO | - 50 V |
集电极连续电流 | - 150 mA |
频率-跃迁 | 80MHz |