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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2PB1219AQ,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2PB1219AQ,115价格参考。NXP Semiconductors2PB1219AQ,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2PB1219AQ,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2PB1219AQ,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为2PB1219AQ,115、品牌为NXP USA Inc.的晶体管属于双极性晶体管(BJT)单个器件,广泛应用于中等功率开关与放大电路中。该器件采用先进的工艺制造,具有良好的热稳定性和可靠性,适用于消费电子、工业控制和汽车电子等领域。 典型应用场景包括:LED驱动电路中的开关控制,用于实现高效亮度调节;电源管理模块中作为通断开关或稳压辅助元件;在电机驱动、继电器控制等工业自动化设备中,承担小功率信号放大与控制功能;此外,也常用于音频信号放大器的前置级或末级驱动,提供稳定的增益表现。 由于其封装紧凑(如SOT457),适合高密度PCB布局,广泛用于空间受限的便携式设备。同时,该器件符合RoHS环保标准,具备良好的环境适应性,可在较宽温度范围内稳定工作,因此也适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块等汽车电子应用。 总之,2PB1219AQ,115凭借其可靠的电气性能和多场景适应能力,在需要中低电流开关与信号放大的电子系统中发挥重要作用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR PNP 50V 500MA SOT323两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors 2PB1219AQ,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2PB1219AQ,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 600mV @ 30mA,300mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 85 @ 150mA,10V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | 2PB1219AQ T/R |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
| 封装/箱体 | SOT-323 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 500mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 85 at 150 mA at 10 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 85 at 150 mA at 10 V, 40 at 500 mA at 10 V |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 零件号别名 | 2PB1219AQ T/R |
| 频率-跃迁 | 100MHz |