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  • 型号: 2PB1219AQ,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2PB1219AQ,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2PB1219AQ,115价格参考。NXP Semiconductors2PB1219AQ,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2PB1219AQ,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2PB1219AQ,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

型号为2PB1219AQ,115、品牌为NXP USA Inc.的晶体管属于双极性晶体管(BJT)单个器件,广泛应用于中等功率开关与放大电路中。该器件采用先进的工艺制造,具有良好的热稳定性和可靠性,适用于消费电子、工业控制和汽车电子等领域。

典型应用场景包括:LED驱动电路中的开关控制,用于实现高效亮度调节;电源管理模块中作为通断开关或稳压辅助元件;在电机驱动、继电器控制等工业自动化设备中,承担小功率信号放大与控制功能;此外,也常用于音频信号放大器的前置级或末级驱动,提供稳定的增益表现。

由于其封装紧凑(如SOT457),适合高密度PCB布局,广泛用于空间受限的便携式设备。同时,该器件符合RoHS环保标准,具备良好的环境适应性,可在较宽温度范围内稳定工作,因此也适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块等汽车电子应用。

总之,2PB1219AQ,115凭借其可靠的电气性能和多场景适应能力,在需要中低电流开关与信号放大的电子系统中发挥重要作用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANSISTOR PNP 50V 500MA SOT323两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors 2PB1219AQ,115-

数据手册

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产品型号

2PB1219AQ,115

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

600mV @ 30mA,300mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

85 @ 150mA,10V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-323

其它名称

2PB1219AQ T/R
2PB1219AQ T/R-ND
934033190115

功率-最大值

200mW

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

NXP Semiconductors

增益带宽产品fT

100 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-70,SOT-323

封装/箱体

SOT-323

工厂包装数量

3000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

200 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.5 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

500mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

85 at 150 mA at 10 V

直流集电极/BaseGainhfeMin

85 at 150 mA at 10 V, 40 at 500 mA at 10 V

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

集电极—基极电压VCBO

60 V

零件号别名

2PB1219AQ T/R

频率-跃迁

100MHz

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