【未分类_2N6052G】封装/厂家_2N6052G中文资料_价格

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型号： 2N6052G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供2N6052G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N6052G价格参考。ON Semiconductor2N6052G封装/规格：未分类，暂无。您可以下载2N6052G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N6052G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor（安森美半导体）的2N6052G是一种双极型晶体管（BJT），属于NPN型单晶体管。该型号广泛应用于各种电子电路中，主要用于信号放大和开关功能。以下是其主要应用场景：

1. 信号放大：  
   2N6052G可用于音频信号放大、射频信号放大等场景。由于其具有较高的增益（hFE），能够有效地将微弱的输入信号放大到所需的输出电平，适用于低功率音频设备、传感器信号调理电路等。

2. 开关应用：  
   在数字电路中，2N6052G可以用作开关元件。通过控制基极电流，实现集电极和发射极之间的导通或截止状态，适用于继电器驱动、LED驱动、小型电机控制等场合。

3. 电源管理：  
   该晶体管可以用于简单的稳压电路或电流限制电路中，帮助保护下游负载免受过流或过压的影响。例如，在电池充电电路中，可作为电流调节元件使用。

4. 脉冲调制与驱动：  
   在脉宽调制（PWM）应用中，2N6052G可以用来驱动小功率负载，如蜂鸣器、步进电机等。它能够快速响应PWM信号，实现对负载的精确控制。

5. 通信设备：  
   在一些低频通信设备中，2N6052G可用作信号调制解调器的一部分，参与数据传输过程中的信号处理。

6. 教育与实验：  
   由于其通用性和易用性，2N6052G常被用于教学和实验环境中，帮助学生理解双极型晶体管的工作原理及基本电路设计方法。

需要注意的是，2N6052G的最大集电极-发射极电压（Vce）为80V，最大集电极电流（Ic）为0.8A，因此适合中低功率的应用场合。在实际使用时，应根据具体参数选择合适的偏置条件，并考虑散热需求以确保稳定运行。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	TRANS DARL PNP 12A 100V TO3达林顿晶体管 12A 100V Bipolar Power PNP
产品分类	晶体管(BJT) - 单路分离式半导体
品牌	ON Semiconductor
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产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,达林顿晶体管,ON Semiconductor 2N6052G-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	2N6052G
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	3V @ 120mA，12A
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	750 @ 6A，3V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	达林顿晶体管
供应商器件封装	TO-3
其它名称	2N6052GOS
功率-最大值	150W
功率耗散	150 W
包装	托盘
发射极-基极电压VEBO	5 V
商标	ON Semiconductor
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tray
封装/外壳	TO-204AA，TO-3
封装/箱体	TO-204-2 (TO-3)
工厂包装数量	100
晶体管极性	PNP
晶体管类型	PNP - 达林顿
最大工作温度	+ 150 C
最大直流电集电极电流	12 A
最大集电极截止电流	1000 uA
最小工作温度	- 65 C
标准包装	100
电压-集射极击穿（最大值）	100V
电流-集电极(Ic)（最大值）	12A
电流-集电极截止（最大值）	1mA
直流集电极/BaseGainhfeMin	100, 750
系列	2N6052
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	100 V
集电极—基极电压VCBO	100 V
集电极连续电流	12 A
频率-跃迁	-

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