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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2N5639RLRAG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N5639RLRAG价格参考。ON Semiconductor2N5639RLRAG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2N5639RLRAG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2N5639RLRAG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美)的2N5639RLRAG是一款N沟道结型场效应晶体管(JFET),属于小信号JFET,常用于模拟电路中。其主要应用场景包括: 1. 低噪声放大器:由于JFET具有高输入阻抗和低噪声特性,2N5639RLRAG常用于前置放大器、音频放大器和传感器信号调理电路中,适用于对噪声敏感的应用。 2. 模拟开关与调制电路:该器件可作为电压控制开关,广泛应用于模拟信号切换、自动增益控制(AGC)和调制解调电路中。 3. 振荡器与函数发生器:在RC振荡器或压控振荡器(VCO)中,2N5639RLRAG可利用其跨导特性实现稳定的信号生成,常见于测试设备和通信系统中。 4. 恒流源设计:凭借其稳定的电流-电压特性,该JFET可用于构建精密恒流源,为LED驱动或偏置电路提供可靠电流。 5. 教育与实验电路:因其参数稳定、使用简单,也常用于电子工程教学实验中,帮助学生理解场效应管的工作原理。 2N5639RLRAG采用SOT-23小型封装,适合空间受限的便携式电子设备,如消费类电子产品、工业控制模块和测量仪器等。总体而言,它是一款适用于中低频模拟应用的通用型JFET,特别适合需要高输入阻抗和低噪声性能的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | JFET N-CH 35V 310MW TO92 |
| 产品分类 | JFET(结点场效应 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 2N5639RLRAG |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的电压-截止(VGS关) | - |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 25mA @ 20V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 10pF @ 12V(VGS) |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率-最大值 | 310mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 35V |
| 电阻-RDS(开) | 60 欧姆 |