Datasheet下载- 型号： 2N5639G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N5639G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N5639G价格参考。ON Semiconductor2N5639G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2N5639G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N5639G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | JFET N-CH 35V 310MW TO92 |
| 产品分类 | JFET（结点场效应 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 2N5639G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | - |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 25mA @ 20V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 10pF @ 12V（VGS） |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率-最大值 | 310mW |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 35V |
| 电阻-RDS（开） | 60 欧姆 |
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