Datasheet下载- 型号： 2N5638RLRA
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N5638RLRA由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N5638RLRA价格参考。ON Semiconductor2N5638RLRA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2N5638RLRA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N5638RLRA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor生产的2N5638RLRA是一款N沟道结型场效应晶体管（JFET），属于小信号JFET，常用于低噪声、高输入阻抗的模拟电路中。其主要应用场景包括： 1. 前置放大器：由于JFET具有高输入阻抗和低噪声特性，2N5638RLRA广泛应用于音频前置放大器、麦克风放大器等对信号保真度要求较高的场合。 2. 模拟开关与调制电路：该器件可用作模拟信号开关或斩波器，在信号调节和控制电路中实现通断功能，适用于数据采集系统和传感器接口。 3. 振荡器与函数发生器：在低频振荡电路中，2N5638RLRA可作为有源元件，用于构建稳定的RC振荡器或压控振荡器（VCO）。 4. 电压控制电阻：在特定偏置条件下，JFET可工作于线性区，充当压控电阻，适用于自动增益控制（AGC）和音量调节电路。 5. 仪表放大器输入级：因其良好的匹配性和温度稳定性，也常见于精密测量仪器的输入级设计中。 2N5638RLRA采用SOT-23小型封装，适合空间受限的便携式电子设备，如通信设备、消费类电子产品和工业控制模块。其可靠性高，符合工业标准，适用于多种中低频模拟应用环境。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | JFET N-CH 35V 310MW TO92 |
| 产品分类 | JFET（结点场效应 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 2N5638RLRA |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | - |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 50mA @ 20V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 10pF @ 12V（VGS） |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率-最大值 | 310mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 35V |
| 电阻-RDS（开） | 30 欧姆 |
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