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  • 型号: 2N5432
  • 制造商: Vishay
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2N5432由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N5432价格参考。Vishay2N5432封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2N5432参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2N5432 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

JFET N-CH 25V TO-52JFET 25V 10pA

产品分类

JFET(结点场效应分离式半导体

FET类型

N 沟道

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

产品图片

rohs

符合RoHS含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,JFET,Vishay / Siliconix 2N5432-

数据手册

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产品型号

2N54322N5432

RdsOn-Drain-SourceResistance

5 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

5 Ohms

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

- 25 V

Vgs-栅源极击穿电压

- 25 V

Vgs=0时的漏-源电流

150 mA

不同Id时的电压-截止(VGS关)

4V @ 3nA

不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss)

150mA @ 15V

不同Vds时的输入电容(Ciss)

30pF @ 0V

产品种类

JFET

供应商器件封装

TO-206AC (TO-52)

功率-最大值

300mW

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

通孔

安装风格

Stud

导通电阻

5 Ohms

封装

Bulk

封装/外壳

TO-206AC,TO-52-3,金属罐

封装/箱体

TO-52

工厂包装数量

200

晶体管极性

N-Channel

标准包装

200

正向跨导-最小值

0.017 S

漏极电流(Id)-最大值

-

漏源极电压(Vdss)

-

电压-击穿(V(BR)GSS)

25V

电阻-RDS(开)

-

配置

Single

闸/源击穿电压

- 25 V

闸/源截止电压

- 10 V

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