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详细数据请看参考数据手册
- 型号： 2N5115-E3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N5115-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N5115-E3价格参考。Vishay2N5115-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2N5115-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N5115-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2N5115-E3是Vishay Siliconix公司生产的一款N沟道结型场效应晶体管（JFET），常用于低噪声、高输入阻抗的模拟电路中。其主要应用场景包括： 1. 前置放大器电路：由于JFET具有高输入阻抗和低噪声特性，2N5115-E3广泛用于音频和射频信号的前置放大，尤其是在麦克风、传感器信号调理等应用中。 2. 模拟开关与多路复用器：该器件可用于构建低失真、高精度的模拟开关电路，适用于数据采集系统和测试仪器中。 3. 电压控制电阻：JFET在可变电阻模式下工作时，可用作电压控制元件，适用于自动增益控制（AGC）电路和压控滤波器等。 4. 射频（RF）电路：2N5115-E3具备良好的高频特性，适合用于射频信号处理中的混频器、调制器或低噪声放大器前端。 5. 电源管理与低功耗电路：由于其静态功耗低，适用于便携式设备和低功耗模拟电路设计。 该器件采用TO-92封装，适合通孔安装，广泛应用于工业控制、通信设备、消费电子和测试测量仪器中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | JFET P-CH 30V TO-18 |
| 产品分类 | JFET（结点场效应 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 2N5115-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | * |
| 标准包装 | 200 |
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