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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2N4339-2由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N4339-2价格参考。Vishay2N4339-2封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2N4339-2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2N4339-2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 2N4339-2 是一款 N沟道JFET(结型场效应晶体管),常用于低噪声、高输入阻抗的模拟电路中。其主要应用场景包括: 1. 前置放大器电路:由于JFET具有高输入阻抗和低噪声特性,2N4339-2广泛用于音频放大器、仪表放大器等的前置级,以提高信号采集的精度和信噪比。 2. 模拟开关与多路复用器:该器件可作为模拟开关使用,适用于需要低失真和高稳定性的模拟信号路由系统,如测试设备和数据采集系统。 3. 电压控制电阻应用:在某些模拟电路中,JFET可用作电压控制的可变电阻,2N4339-2适用于需要精确控制电流路径的场合。 4. 射频(RF)与小信号处理:其高频响应良好,适用于射频前端、小信号放大及混频器等通信相关电路。 5. 传感器接口电路:用于连接高阻抗传感器(如麦克风、压力传感器等),实现信号的高效传递与放大。 总结而言,2N4339-2 适用于对噪声敏感、要求高输入阻抗和线性度的模拟电子系统,广泛应用于工业控制、测试测量设备、音频设备和通信系统等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA |
| 产品分类 | JFET(结点场效应 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 2N4339-2 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的电压-截止(VGS关) | 600mV @ 100nA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 500µA @ 15V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7pF @ 15V |
| 供应商器件封装 | TO-206AA (TO-18) |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-206AA,TO-18-3 金属罐 |
| 标准包装 | 20 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 50V |
| 电阻-RDS(开) | - |