Datasheet下载- 型号： 2DD2679-13
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2DD2679-13由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2DD2679-13价格参考。Diodes Inc.2DD2679-13封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2DD2679-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2DD2679-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的型号2DD2679-13是一款双极性晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。该晶体管通常用于功率放大和开关应用。 应用场景包括： 1. 功率放大器：适用于音频放大器、射频（RF）功率放大器等需要较高功率输出的场合。 2. 开关电路：用于电源管理、DC-DC转换器、马达驱动器等需要高电流开关的电路中。 3. 工业控制：在工业自动化设备中作为高电流负载的驱动元件，如继电器、电磁阀的控制。 4. 汽车电子：用于汽车中的电子控制系统，如灯光控制、风扇控制、电池管理系统等。 5. 消费类电子产品：在需要高电流处理能力的消费电子产品中作为开关或放大元件，如电源适配器、充电器等。 该晶体管具有较高的电流承载能力和良好的热稳定性，适合中高功率应用场景。具体参数如最大集电极电流、最大耗散功率等可参考数据手册以确保正确使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS BIPO NPN SOT89-3L两极晶体管 - BJT LO VSAT NPN SMT 2.5K |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated 2DD2679-13- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2DD2679-13 |
| PCN其它 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 370mV @ 75mA，1.5A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 270 @ 200mA，2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-89-3 |
| 其它名称 | 2DD2679-13DI |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 240 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 封装/箱体 | SOT-89 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 2000 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 2 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 30V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 270 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 270 at 200 mA at 2 V |
| 系列 | 2DD2679 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 30 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 30 V |
| 频率-跃迁 | 240MHz |
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