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Datasheet下载- 型号： 1PMT5924BT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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1PMT5924BT1G产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供1PMT5924BT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1PMT5924BT1G价格参考。ON Semiconductor1PMT5924BT1G封装/规格：二极管 - 齐纳 - 单， Zener Diode 9.1V 3.2W ±5% 表面贴装 Powermite。您可以下载1PMT5924BT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有1PMT5924BT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的1PMT5924BT1G是一款齐纳二极管，属于单齐纳二极管类别。该器件主要用于电压基准和电压保护应用。其额定齐纳电压为13V，功率耗散能力为200mW，采用SOD-523小型表面贴装封装，适合空间受限的便携式电子设备。 典型应用场景包括：在电源管理电路中作为低功耗电压参考源，用于确保模拟电路、ADC或传感器模块的稳定工作；在信号线路中提供静电放电（ESD）保护和瞬态电压抑制，防止敏感元件因电压波动而损坏；广泛应用于消费类电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电源轨保护；也可用于工业控制、通信模块及汽车电子中的辅助电路，实现稳压和过压防护。 由于其小尺寸和高可靠性，1PMT5924BT1G特别适用于需要高密度布局和自动化贴片生产的现代电子设备。同时，该型号符合RoHS环保要求，并具有无卤素设计，满足严格的环境与安全标准。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE ZENER 9.1V 3.2W POWERMITE稳压二极管 ZEN PWMITE REG |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor 1PMT5924BT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 1PMT5924BT1G |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.25V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 7V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | Powermite |
| 其它名称 | 1PMT5924BT1G-ND |
| 功率-最大值 | 3.2W |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DO-216AA |
| 封装/箱体 | DO-216AA |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 5 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 4 Ohms |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 9.1V |
| 电压容差 | 5 % |
| 系列 | 1PMT5924B |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 4 欧姆 |
| 齐纳电压 | 9.1 V |
