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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MM3Z6V8T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MM3Z6V8T1G价格参考¥0.06-¥0.06。ON SemiconductorMM3Z6V8T1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MM3Z6V8T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MM3Z6V8T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的MM3Z6V8T1G是一款齐纳二极管,属于“二极管 - 齐纳 - 单”类别。其典型应用场景包括: 1. 电压稳压: MM3Z6V8T1G的主要功能是提供稳定的参考电压(标称齐纳电压为6.8V)。它适用于低功率电路中的电压调节,例如在电源电路中为敏感元件提供稳定的供电电压。 2. 过压保护: 在电路设计中,该齐纳二极管可以用来限制电压,防止下游器件因过高的电压而损坏。例如,在信号输入端或电源输入端使用齐纳二极管进行钳位保护。 3. 信号电平转换: 用于将输入信号的电压范围限制在特定值内,确保信号符合后续电路的要求。例如,在模拟信号处理电路中,齐纳二极管可用于限制信号幅值。 4. 基准电压源: 由于其稳定的齐纳电压特性,MM3Z6V8T1G可以用作简单的基准电压源,为比较器、运算放大器或其他需要参考电压的电路提供支持。 5. ESD保护: 在某些应用中,齐纳二极管可以用作静电放电(ESD)保护元件,快速泄放瞬时高电压,从而保护敏感电子器件。 6. 音频和射频电路: 在一些低功率音频或射频电路中,齐纳二极管可用于稳定偏置电压或限制信号幅度,以避免失真或损坏。 总之,MM3Z6V8T1G适合应用于对成本敏感、功耗较低的小型电子设备中,如消费电子产品、工业控制模块、传感器接口电路等。需要注意的是,其额定功率较低(通常为200mW或更小),因此不适合高功率场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER 6.8V 200MW SOD323稳压二极管 6.8V 200mW |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor MM3Z6V8T1G- |
数据手册 | |
产品型号 | MM3Z6V8T1G |
PCN设计/规格 | |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 2µA @ 4V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | SOD-323 |
其它名称 | MM3Z6V8T1GOS |
功率-最大值 | 200mW |
功率耗散 | 200 mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±6% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-76,SOD-323 |
封装/箱体 | SOD-323 |
工作温度 | -65°C ~ 150°C |
工厂包装数量 | 3000 |
最大反向漏泄电流 | 2 uA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大齐纳阻抗 | 15 Ohms |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 3,000 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 6.8V |
电压容差 | 6 % |
电压温度系数 | 2.85 mV/K |
系列 | MM3Z2V4T1 |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 15 欧姆 |
齐纳电压 | 6.8 V |
齐纳电流 | 10 mA |