Datasheet下载- 型号： 1PMT12AT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供1PMT12AT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1PMT12AT1G价格参考。ON Semiconductor1PMT12AT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载1PMT12AT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有1PMT12AT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Littelfuse Inc. 的1PMT12AT1G是一款瞬态电压抑制（TVS）二极管，属于表面贴装型保护器件，主要用于电子电路中的过压保护。该器件额定击穿电压约为13.3V，最大钳位电压为19.9V，具备快速响应和高浪涌吸收能力，适用于防止静电放电（ESD）、雷击感应、电感负载切换等引起的瞬态电压冲击。 典型应用场景包括：便携式消费类电子产品（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的数据线与电源接口保护；工业控制设备的信号线路防护；汽车电子系统中的低功率电路保护（如车载信息娱乐系统、传感器模块）；以及通信设备中的高速数据端口（如USB、HDMI、RS-232等）防静电和浪涌干扰。 1PMT12AT1G采用SOD-523小型封装，节省空间，适合高密度PCB布局，同时符合AEC-Q101车规认证，具备良好的可靠性和环境适应性。其低漏电流和低电容特性也确保了对高速信号完整性的影响最小，广泛应用于需要高效、紧凑型过压保护的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护半导体 |
| 描述 | TVS DIODE 12VWM POWERMITETVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 12V 200W Powermite Unidirectional |
| 产品分类 | TVS - 二极管分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器,ON Semiconductor 1PMT12AT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 1PMT12AT1G |
| 不同频率时的电容 | - |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 |
| 供应商器件封装 | Powermite |
| 其它名称 | 1PMT12AT1GOSTR |
| 击穿电压 | 13.3 V |
| 功率-峰值脉冲 | 1000W （1kW） |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DO-216AA |
| 封装/箱体 | DO-216AA |
| 尺寸 | 2.05 mm W x 2.18 mm L x 1.15 mm H |
| 峰值浪涌电流 | 10.1 A |
| 峰值脉冲功率耗散 | 1 kW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C （TJ） |
| 工作电压 | 12 V |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 应用 | 通用 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 极性 | Unidirectional |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-击穿（最小值） | 13.3V |
| 电压-反向关态（典型值） | 12V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 19.9V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | - |
| 电源线路保护 | 无 |
| 端接类型 | SMD/SMT |
| 类型 | 齐纳 |
| 系列 | 1PMT5.0AT1/T3 |
| 钳位电压 | 19.9 V |
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