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产品简介:
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Microsemi Corporation(现为Microchip子公司)的1N6159AUS是一款TVS(瞬态电压抑制)二极管,主要用于电路中保护敏感电子元件免受静电放电(ESD)、浪涌和其它瞬态电压事件的损害。该器件具有快速响应时间和高浪涌吸收能力。 应用场景包括: 1. 通信设备:用于保护以太网、USB、RS-485等接口免受静电和浪涌损坏。 2. 工业控制系统:在PLC、传感器和工控机中提供可靠的瞬态保护。 3. 消费电子产品:如电视、机顶盒和家用电器,用于保护电源和信号线路。 4. 汽车电子系统:适用于车载娱乐系统、ECU模块等对可靠性要求较高的场景。 5. 数据存储设备:用于硬盘驱动器、SSD和服务器中的接口保护。 该器件采用表面贴装封装(如SMA),适合自动化生产和空间受限的设计,广泛应用于需要高可靠性和稳定性的电子系统中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 电路保护 |
描述 | TVS DIODE 38.8VWM 70.1VC SQMELF |
产品分类 | TVS - 二极管 |
品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/127854-lds-0278-1 |
产品图片 | |
产品型号 | 1N6159AUS |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同频率时的电容 | - |
供应商器件封装 | C, SQ-MELF |
功率-峰值脉冲 | 1500W (1.5kW) |
包装 | 散装 |
单向通道 | - |
双向通道 | 1 |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SQ-MELF, C |
工作温度 | -55°C ~ 175°C |
应用 | 通用 |
标准包装 | 1 |
电压-击穿(最小值) | 48.5V |
电压-反向关态(典型值) | 38.8V |
电压-箝位(最大值)@Ipp | 70.1V |
电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 21.4A |
电源线路保护 | 无 |
类型 | 齐纳 |