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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供1N6109US由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N6109US价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N6109US封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载1N6109US参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N6109US 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation(现为Microchip子公司)的1N6109US是一款瞬态电压抑制器(TVS)二极管,主要用于保护电子电路免受静电放电(ESD)、浪涌和其它瞬态电压的危害。 应用场景包括: 1. 通信设备:用于保护以太网、USB、RS-485等接口,防止因雷击或静电引起的瞬态电压损坏主芯片。 2. 工业控制系统:在PLC、传感器和自动化设备中提供稳定保护,确保恶劣电磁环境下系统正常运行。 3. 消费电子产品:如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中,保护数据线与充电接口免受ESD损害。 4. 汽车电子系统:应用于车载网络(CAN、LIN)及控制模块,提升车辆电子系统的可靠性与安全性。 5. 电源管理模块:用于DC-DC转换器、电源适配器等设备,吸收输入端可能产生的高压瞬变。 该器件具有响应速度快、钳位电压低、可靠性高等优点,适合需要高精度信号传输并要求良好保护性能的应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 电路保护 |
描述 | TVS DIODE 9.9VWM 19.11VC SQMELF |
产品分类 | TVS - 二极管 |
品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/127892-lds-0277-1 |
产品图片 | |
产品型号 | 1N6109US |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同频率时的电容 | - |
供应商器件封装 | B, SQ-MELF |
功率-峰值脉冲 | 500W |
包装 | 散装 |
单向通道 | - |
双向通道 | 1 |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SQ-MELF, B |
工作温度 | -55°C ~ 175°C |
应用 | 通用 |
标准包装 | 1 |
电压-击穿(最小值) | 11.73V |
电压-反向关态(典型值) | 9.9V |
电压-箝位(最大值)@Ipp | 19.11V |
电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 26.13A |
电源线路保护 | 无 |
类型 | 齐纳 |