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  • 型号: 1N5935BUR-1
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供1N5935BUR-1由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5935BUR-1价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N5935BUR-1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载1N5935BUR-1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N5935BUR-1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

1N5935BUR-1 是由 Microsemi Corporation(现为 Microchip Technology)生产的一款单齐纳二极管。其主要应用场景如下:

 1. 电压稳压
   - 1N5935BUR-1 的核心功能是提供稳定的参考电压,通常用于电源电路中稳定输出电压。例如,在低压电源设计中,可以将该齐纳二极管与电阻串联,形成简单的稳压电路。
   - 其齐纳电压(Vz)约为7.5V(具体值取决于工作电流),适用于需要低至中等精度的稳压场景。

 2. 过压保护
   - 在敏感电子设备中,1N5935BUR-1 可用于防止输入电压过高。当输入电压超过齐纳电压时,二极管会导通并将多余的能量分流到地,从而保护后续电路。
   - 常见应用包括传感器接口、通信线路保护和信号调理电路。

 3. 信号电平调整
   - 该型号的齐纳二极管可用于调整或限制信号电平。例如,在音频或射频电路中,它可以用来限制信号幅度,避免失真或损坏后续放大器。

 4. 基准电压源
   - 在一些模拟电路中,1N5935BUR-1 可作为基准电压源,为运放、比较器或其他电路模块提供稳定的参考电压。

 5. 浪涌抑制
   - 齐纳二极管能够吸收瞬态电压浪涌,因此在开关电源、继电器控制电路或电机驱动电路中,1N5935BUR-1 可以用作浪涌抑制元件,保护电路免受瞬时高压的影响。

 注意事项
- 1N5935BUR-1 的最大耗散功率为500mW,因此在设计电路时需确保工作电流不超过其额定值,以避免过热损坏。
- 使用时应根据实际需求选择合适的限流电阻,以优化齐纳二极管的工作点。

总之,1N5935BUR-1 是一款通用性较强的齐纳二极管,适用于多种低功耗、中等精度的电压稳压和保护场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 27V 1.25W DO-213AB

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10865-sa3-35-pdf

产品图片

产品型号

1N5935BUR-1

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 200mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

1µA @ 20.6V

供应商器件封装

DO-213AB

功率-最大值

1.25W

包装

散装

安装类型

表面贴装

容差

±5%

封装/外壳

DO-213AB,MELF

工作温度

-65°C ~ 175°C

标准包装

1

电压-齐纳(标称值)(Vz)

27V

阻抗(最大值)(Zzt)

23 欧姆

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