Datasheet下载- 型号： 1N5935BP/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供1N5935BP/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5935BP/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N5935BP/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载1N5935BP/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有1N5935BP/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
1N5935BP/TR8 是由 Microsemi Corporation（现为 Microchip Technology）生产的单齐纳二极管，其主要应用场景如下： 1. 电压稳压 - 该型号的齐纳二极管常用于电路中的电压稳压功能。它可以在反向击穿区域工作，提供稳定的参考电压（标称齐纳电压约为 7.5V）。适用于低功率电路中，确保负载电压保持恒定。 2. 过压保护 - 在敏感电子设备中，1N5935BP/TR8 可用作过压保护元件。当输入电压超过齐纳电压时，二极管导通并将电压钳位到安全范围内，从而保护下游电路免受损坏。 3. 信号电平调整 - 在模拟电路或信号处理电路中，齐纳二极管可用于调整信号电平。例如，在音频或传感器信号处理中，它可以将信号限制在特定的电压范围内。 4. 电源基准电压源 - 由于其稳定的齐纳电压特性，1N5935BP/TR8 可作为简单电源电路中的基准电压源，为运算放大器、比较器或其他需要精确电压的器件提供参考。 5. ESD（静电放电）保护 - 齐纳二极管可以快速响应瞬态电压变化，因此适合用于防止静电放电对电路的损害。它能够吸收短暂的高电压脉冲，保护敏感组件。 6. 浪涌电压抑制 - 在开关电源或继电器电路中，1N5935BP/TR8 可以抑制感性负载产生的浪涌电压，避免对其他电路部分造成干扰或损坏。 注意事项： - 功率限制：该型号的最大耗散功率通常较低（约 400mW），因此仅适用于小电流应用。 - 温度影响：齐纳电压会随温度变化而略有漂移，设计时需考虑这一因素。 - 封装形式：TR8 封装是一种小型表面贴装封装，适合高密度 PCB 设计。 总结来说，1N5935BP/TR8 是一款经济实用的齐纳二极管，广泛应用于各种低功率、电压稳定和保护场景中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 1.5W 27V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10922-sa5-57-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 1N5935BP/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 1µA @ 20.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 28V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 23 欧姆 |
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