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  • 型号: 1N5919BP/TR12
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供1N5919BP/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5919BP/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N5919BP/TR12封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载1N5919BP/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N5919BP/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

1N5919BP/TR12 是由 Microsemi Corporation(现为 Microchip Technology)生产的单齐纳二极管,其主要功能是提供电压调节、稳压和过压保护。以下是该型号的一些典型应用场景:

 1. 电压稳压
   - 1N5919BP/TR12 的齐纳击穿电压为 6.2V(典型值),适合用于简单的电压稳压电路。例如,在低功率电子设备中,它可以将输出电压稳定在 6.2V 左右,确保后续电路的正常工作。
   - 应用场景:电源电路中的参考电压生成、小型传感器供电等。

 2. 过压保护
   - 在某些电路中,输入电压可能会超出预期范围。1N5919BP/TR12 可以通过钳位作用限制电压峰值,保护敏感元件免受高电压损害。
   - 应用场景:信号线路保护、电池充电保护、瞬态电压抑制等。

 3. 信号电平调整
   - 齐纳二极管可以用来调整信号电平,使其保持在特定范围内。例如,在音频或通信电路中,可以通过齐纳二极管限制信号幅度。
   - 应用场景:信号限幅器、模拟信号处理电路等。

 4. 基准电压源
   - 由于齐纳二极管具有稳定的击穿电压特性,1N5919BP/TR12 可用作简单的基准电压源。尽管其精度不如专用的基准电压芯片,但在低成本应用中仍然非常实用。
   - 应用场景:比较器电路、运算放大器反馈网络等。

 5. 浪涌吸收
   - 在开关电源或电机驱动电路中,可能会产生电压浪涌。1N5919BP/TR12 可以快速响应并吸收这些浪涌,保护电路中的其他元件。
   - 应用场景:继电器驱动电路、开关电源辅助保护等。

 注意事项
- 使用时需注意齐纳二极管的功耗限制(1N5919BP/TR12 的最大功耗为 500mW),避免因电流过大导致器件损坏。
- 在设计电路时,应根据实际需求选择合适的限流电阻,以确保齐纳二极管工作在安全的工作区域内。

总之,1N5919BP/TR12 适用于各种需要简单电压调节、保护或基准电压的场合,尤其适合对成本敏感的低功率应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 1.5W 5.6V 5% DO-41

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10922-sa5-57-pdf

产品图片

产品型号

1N5919BP/TR12

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 200mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

5µA @ 3V

供应商器件封装

DO-41

功率-最大值

1.5W

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

容差

±5%

封装/外壳

DO-204AL,DO-41,轴向

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

4,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

5.6V

阻抗(最大值)(Zzt)

2 欧姆

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