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产品简介:
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1N5919BP/TR12 是由 Microsemi Corporation(现为 Microchip Technology)生产的单齐纳二极管,其主要功能是提供电压调节、稳压和过压保护。以下是该型号的一些典型应用场景: 1. 电压稳压 - 1N5919BP/TR12 的齐纳击穿电压为 6.2V(典型值),适合用于简单的电压稳压电路。例如,在低功率电子设备中,它可以将输出电压稳定在 6.2V 左右,确保后续电路的正常工作。 - 应用场景:电源电路中的参考电压生成、小型传感器供电等。 2. 过压保护 - 在某些电路中,输入电压可能会超出预期范围。1N5919BP/TR12 可以通过钳位作用限制电压峰值,保护敏感元件免受高电压损害。 - 应用场景:信号线路保护、电池充电保护、瞬态电压抑制等。 3. 信号电平调整 - 齐纳二极管可以用来调整信号电平,使其保持在特定范围内。例如,在音频或通信电路中,可以通过齐纳二极管限制信号幅度。 - 应用场景:信号限幅器、模拟信号处理电路等。 4. 基准电压源 - 由于齐纳二极管具有稳定的击穿电压特性,1N5919BP/TR12 可用作简单的基准电压源。尽管其精度不如专用的基准电压芯片,但在低成本应用中仍然非常实用。 - 应用场景:比较器电路、运算放大器反馈网络等。 5. 浪涌吸收 - 在开关电源或电机驱动电路中,可能会产生电压浪涌。1N5919BP/TR12 可以快速响应并吸收这些浪涌,保护电路中的其他元件。 - 应用场景:继电器驱动电路、开关电源辅助保护等。 注意事项 - 使用时需注意齐纳二极管的功耗限制(1N5919BP/TR12 的最大功耗为 500mW),避免因电流过大导致器件损坏。 - 在设计电路时,应根据实际需求选择合适的限流电阻,以确保齐纳二极管工作在安全的工作区域内。 总之,1N5919BP/TR12 适用于各种需要简单电压调节、保护或基准电压的场合,尤其适合对成本敏感的低功率应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 1.5W 5.6V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10922-sa5-57-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 1N5919BP/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 3V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 5.6V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 2 欧姆 |