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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供1N5655A由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5655A价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N5655A封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载1N5655A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N5655A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation(现为Microchip子公司)的1N5655A是一款瞬态电压抑制器(TVS)二极管,主要用于保护电子电路免受静电放电(ESD)、浪涌和瞬态电压等高压脉冲的损害。 其主要应用场景包括: 1. 通信设备:用于保护以太网接口、RS-485、USB等通信端口,防止因雷击或静电引起的损坏。 2. 工业控制系统:在PLC、变频器、传感器等工业设备中提供过压保护,增强系统稳定性与可靠性。 3. 消费电子产品:如电视、音响、机顶盒等设备中,对敏感集成电路进行ESD保护。 4. 汽车电子系统:用于车载充电器、CAN总线接口等部分,抵御车辆启动、刹车时产生的电压尖峰。 5. 电源模块:作为输入/输出端口的保护器件,防止外部瞬态电压对电源系统造成影响。 该器件具有响应速度快、钳位电压低、可靠性高等优点,适用于多种恶劣电磁环境下的电路保护需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 70.1VWM 113VC DO13 |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/8922-lds-0096-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 1N5655A |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | DO-13 |
| 其它名称 | 1N5655AMS |
| 功率-峰值脉冲 | 1500W (1.5kW) |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | DO-13 |
| 工作温度 | -65°C ~ 175°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿(最小值) | 77.9V |
| 电压-反向关态(典型值) | 70.1V |
| 电压-箝位(最大值)@Ipp | 113V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 13.3A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |