Datasheet下载- 型号： 1N5387BE3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供1N5387BE3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5387BE3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N5387BE3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载1N5387BE3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有1N5387BE3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下品牌）的1N5387BE3/TR8是一款齐纳二极管，属于单齐纳二极管类别。该型号的齐纳电压为24V，功率容量通常为500mW，采用SOD-123小型封装，具有体积小、响应快、稳定性高等特点。 1N5387BE3/TR8主要应用于需要精确电压参考或过压保护的电子电路中。典型应用场景包括：便携式电子设备中的电压调节与稳压，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备；电源管理电路中用于提供稳定的参考电压；在工业控制设备、通信模块和消费类电子产品中，用于保护敏感元件免受电压波动或静电放电（ESD）损害；也可用于信号线路的钳位保护，防止瞬态高压损坏后续电路。 由于其高可靠性与紧凑封装，该器件特别适用于空间受限且对稳定性要求较高的场合。此外，在汽车电子系统中，1N5387BE3/TR8可用于辅助电源电路的电压保护，提升系统整体安全性。 总之，1N5387BE3/TR8凭借其稳定的齐纳电压特性和优良的保护性能，广泛应用于消费电子、工业控制、通信及汽车电子等领域，是实现电压稳压与电路保护的关键元件之一。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 5.0W 190V 5% T-18 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 1N5387BE3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 1A |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 137V |
| 供应商器件封装 | T-18 |
| 功率-最大值 | 5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | T-18，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 190V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 450 欧姆 |
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