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  • 型号: 1N5364AE3/TR12
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供1N5364AE3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5364AE3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N5364AE3/TR12封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载1N5364AE3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N5364AE3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Microsemi Corporation(现为Microchip子公司)的1N5364AE3/TR12是一款齐纳二极管,属于单颗齐纳二极管类型。该器件广泛应用于需要电压参考和稳压功能的电子电路中。

该型号齐纳二极管的主要应用场景包括:

1. 电压参考源:在电源管理电路、ADC/DAC参考电压电路中,提供稳定的基准电压,确保系统精度。

2. 电源稳压电路:用于低功耗电源系统中,如DC-DC转换器、电池充电器等,实现输出电压的稳定控制。

3. 过压保护电路:作为电压钳位元件,保护敏感电子元件免受瞬态高压或浪涌电压的损害。

4. 信号调节电路:在模拟信号处理中,用于限制信号幅度,防止后续电路过载或失真。

5. 工业控制与通信设备:广泛应用于工业自动化设备、通信模块、传感器接口等,提供稳定电压控制与保护功能。

该器件采用SOD-123封装,体积小、响应速度快,适合高密度PCB布局,适用于消费电子、汽车电子、工业控制等多种领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 5.0W 33V 10% T-18

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

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产品图片

产品型号

1N5364AE3/TR12

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 1A

不同 Vr时的电流-反向漏电流

500nA @ 23.8V

供应商器件封装

T-18

功率-最大值

5W

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

容差

±10%

封装/外壳

T-18,轴向

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

3,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

33V

阻抗(最大值)(Zzt)

10 欧姆

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