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  • 型号: 1N5363BE3/TR12
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供1N5363BE3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5363BE3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N5363BE3/TR12封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载1N5363BE3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N5363BE3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

1N5363BE3/TR12 是 Microsemi Corporation 生产的一款齐纳二极管,属于“二极管 - 齐纳 - 单”类别。这种器件的主要应用场景包括电压调节、稳压电路、过压保护以及信号电平控制等。

 应用场景:
1. 电压调节与稳压  
   1N5363BE3/TR12 可用于构建简单的稳压电路。其齐纳击穿电压为 7.5V(典型值),能够在负载电流变化时维持输出电压的稳定。适合低功耗设备中的电源稳压需求。

2. 过压保护  
   在敏感电子电路中,该齐纳二极管可以用来防止过高电压对后续电路造成损坏。例如,在输入端加入一个齐纳二极管和限流电阻组合,能够有效限制瞬态高压。

3. 信号电平控制  
   用于音频或射频信号处理电路中,齐纳二极管可以帮助限制信号幅度过大,从而避免失真或其他问题。

4. 参考电压源  
   由于其稳定的齐纳电压特性,这款二极管可用作基准电压源,为模拟电路提供精确的参考电压。

5. 开关电源反馈回路  
   在某些开关模式电源设计中,齐纳二极管被用来设定误差放大器的参考电压,以实现输出电压的精确控制。

6. ESD(静电放电)保护  
   在接口电路中,齐纳二极管可用于吸收静电脉冲,保护内部芯片免受损害。

总结来说,1N5363BE3/TR12 齐纳二极管凭借其良好的电气特性和可靠性,广泛应用于各种需要电压稳定或保护功能的场景中,尤其适合消费电子、工业控制及通信设备等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 5.0W 30V 5% T-18

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

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产品图片

产品型号

1N5363BE3/TR12

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 1A

不同 Vr时的电流-反向漏电流

500nA @ 21.6V

供应商器件封装

T-18

功率-最大值

5W

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

容差

±5%

封装/外壳

T-18,轴向

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

3,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

30V

阻抗(最大值)(Zzt)

8 欧姆

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