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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供1N5361AE3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5361AE3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N5361AE3/TR12封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载1N5361AE3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N5361AE3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation(现为Microchip Technology旗下公司)的1N5361AE3/TR12是一款齐纳二极管,属于1N5300系列,标称齐纳电压为47V,功率为5W。该器件主要用于电压稳压和电路保护场景。 典型应用场景包括: 1. 电源稳压电路:在直流电源中作为基准电压源或稳压元件,确保输出电压稳定,适用于工业电源、通信设备电源模块等。 2. 过压保护:用于防止敏感电子元件因电压突变或浪涌而损坏,常见于接口电路、电源输入端及ESD保护设计中。 3. 浪涌抑制:在瞬态电压抑制(TVS)应用中,吸收瞬时高能量脉冲,保护后续电路,适用于工业控制、汽车电子和电信设备。 4. 参考电压源:在模拟电路或反馈控制系统中提供稳定的参考电压,用于比较器、稳压器等电路设计。 该器件采用轴向封装(DO-201AD),适合通孔安装,具有良好的热稳定性和可靠性,广泛应用于工业、通信、消费电子及汽车电子等领域。其高功率耗散能力和精确的电压容差(±5%)使其在要求严苛的环境中表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 5.0W 27V 10% T-18 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 1N5361AE3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 1A |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 19.4V |
| 供应商器件封装 | T-18 |
| 功率-最大值 | 5W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | T-18,轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 27V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 5 欧姆 |