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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供1N4960US由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N4960US价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N4960US封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载1N4960US参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N4960US 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Semtech Corporation生产的1N4960US是一款齐纳二极管,属于单齐纳二极管类别。该型号主要用于电压基准和电压保护电路中。其典型应用场景包括电源稳压、过压保护以及信号电平钳位等。 在电源管理电路中,1N4960US可为低功率系统提供稳定的参考电压,确保后续电路工作稳定。由于其具有精确的击穿电压(标称值约为12V)和较低的动态阻抗,适合用于对电压精度要求较高的场合。 此外,该器件常用于电子设备中的静电放电(ESD)保护和瞬态电压抑制(TVS)应用,能有效吸收突发的过电压脉冲,保护敏感的半导体元件(如IC、晶体管等)免受损坏。常见于通信设备、消费类电子产品、工业控制模块和汽车电子系统中。 1N4960US采用小型封装(如DO-35或类似),节省空间,适用于高密度电路板设计。同时具备良好的热稳定性和可靠性,适合在较宽温度范围内稳定工作。 总之,1N4960US凭借其稳定的齐纳特性,广泛应用于需要电压箝位、稳压和电路保护的各类中低功率电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 12V 5W |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10913-sa5-37-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 1N4960US |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.5V @ 1A |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 10µA @ 9.1V |
| 供应商器件封装 | D-5B |
| 功率-最大值 | 5W |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | E-MELF |
| 工作温度 | -65°C ~ 175°C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 12V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 2.5 欧姆 |