Datasheet下载- 型号： 15GN01MA-TL-E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供15GN01MA-TL-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 15GN01MA-TL-E价格参考。ON Semiconductor15GN01MA-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载15GN01MA-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有15GN01MA-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor 的 15GN01MA-TL-E 是一款射频双极结型晶体管（RF BJT），属于NPN型，主要用于高频信号放大和射频功率应用。该器件适用于工作频率在数百MHz至数GHz范围内的无线通信系统。 典型应用场景包括： 1. 无线基础设施：用于蜂窝基站、微波中继系统中的射频功率放大器模块，支持GSM、CDMA、WCDMA等通信标准。 2. 射频放大器设计：适合用作线性放大器或驱动级放大器，在需要高增益与良好线性度的场合表现优异。 3. 工业与广播设备：应用于射频加热、等离子发生器、小型广播发射机等工业射频能源系统中。 4. 宽带通信系统：因其较宽的频率响应能力，可用于多频段射频前端模块，支持多种通信协议兼容设计。 该器件采用SOT-457封装，体积小，便于高密度贴装，适合紧凑型射频电路设计。同时具备良好的热稳定性和可靠性，可在较宽温度范围内稳定工作，适用于工业级环境。 总体而言，15GN01MA-TL-E 主要面向中低功率射频放大需求，广泛用于通信、工业和射频能源领域，是构建高效、稳定射频系统的理想选择之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN BIPO 50MA 8V MCP两极晶体管 - BJT BIP NPN 50MA 8V FT=1.5G |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 15GN01MA-TL-E- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 15GN01MA-TL-E |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 10mA，5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 3-MCP |
| 功率-最大值 | 400mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 3 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | - |
| 增益 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 3-SMD，鸥翼型 |
| 封装/箱体 | SC-70 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 400 mW |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 8V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 50mA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 |
| 系列 | 15GN01MA |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 8 V |
| 集电极连续电流 | 50 mA |
| 频率-跃迁 | 1.5GHz |
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