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- 型号： 1-2013266-6
- 制造商： TE Connectivity / AMP Brand
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供1-2013266-6由TE Connectivity / AMP Brand设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1-2013266-6价格参考。TE Connectivity / AMP Brand1-2013266-6封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载1-2013266-6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有1-2013266-6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
1-2013266-6 是TE Connectivity（原AMP）推出的直列式存储器模块插座，专为DDR4 SODIMM（小型双列直插内存模块）设计。其典型应用场景包括：笔记本电脑、超极本、嵌入式工控设备、网络通信设备（如边缘路由器、基站基带单元）、瘦客户机及小型化服务器等对空间和可靠性要求较高的领域。该连接器支持DDR4高速信号传输（最高达3200 MT/s），具备高插拔寿命（≥30次）、优异的触点正压力与抗振动性能，并通过无铅（RoHS）及IEC 61076-1认证。其直列式（in-line）结构便于PCB单面布局，简化SODIMM插槽设计；金属屏蔽罩与优化的端子几何形状有效抑制串扰与EMI，保障高频信号完整性。适用于需要频繁更换或现场升级内存的工业/医疗/车载终端设备。
产品参数
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