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  • 型号: ZXTP2013ZTA
  • 制造商: Diodes Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供ZXTP2013ZTA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXTP2013ZTA价格参考。Diodes Inc.ZXTP2013ZTA封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ZXTP2013ZTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZXTP2013ZTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ZXTP2013ZTA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类型。其主要应用场景包括:

1. 开关电路:该型号的晶体管可以用于各种开关应用中,例如在电源管理电路中作为电子开关来控制其他设备的通断状态。它能够快速响应并实现高效切换。

2. 信号放大:由于 ZXTP2013ZTA 具有良好的电流增益特性,因此非常适合用作音频或其他低功率信号的放大器组件。它可以增强微弱输入信号以驱动扬声器或其它负载。

3. 电机控制:在小型直流电机驱动系统里,此 BJT 可充当功率放大元件,通过调节基极电流来改变集电极电流从而控制电机转速与方向。

4. 恒流源设计:利用其稳定的电流传输比(hFE),可以构建简单有效的恒定电流源,为 LED 灯串等需要固定工作电流的器件提供保护。

5. 保护电路:可用于过流保护、短路保护等方面的设计中,当检测到异常情况时切断电流路径,防止下游设备损坏。

6. 脉宽调制 (PWM):在 PWM 控制电路中,该晶体管可以用作输出级驱动器,将数字信号转换成模拟电压变化,进而控制灯光亮度或者风扇速度等功能。

7. 线性稳压器:作为调整管参与简单的线性稳压器设计,帮助维持输出电压在一个设定值附近波动。

综上所述,ZXTP2013ZTA 因其优异的电气性能和可靠性,在消费电子、工业自动化、通信设备等领域有着广泛的应用前景。不过具体使用时还需根据实际需求选择合适的外围电路配置以及散热措施。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS PNP 100V 3.5A SOT89两极晶体管 - BJT 100V PNP Low Sat

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

Diodes Incorporated

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated ZXTP2013ZTA-

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产品型号

ZXTP2013ZTA

PCN其它

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RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 400mA,4A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 1A,1V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-89-3

其它名称

UZX5T951ZCT
UZX5T951ZCT-ND
ZX5T951ZCT
ZX5T951ZCT-ND
ZXTP2013ZCT

功率-最大值

2.1W

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

7 V

商标

Diodes Incorporated

增益带宽产品fT

125 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-243AA

封装/箱体

SOT-89

工厂包装数量

1000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

2100 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

3.5 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

100V

电流-集电极(Ic)(最大值)

3.5A

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

100

直流集电极/BaseGainhfeMin

100 at 10 mA at 1 V, 100 at 1 A at 1 V, 25 at 3 A at 1 V, 15 at 4 A at 1 V

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

- 100 V

集电极—基极电压VCBO

- 140 V

集电极—射极饱和电压

- 240 mV

集电极连续电流

- 3.5 A

频率-跃迁

125MHz

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