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  • 型号: ZXTP2012ZTA
  • 制造商: Diodes Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供ZXTP2012ZTA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXTP2012ZTA价格参考。Diodes Inc.ZXTP2012ZTA封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ZXTP2012ZTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZXTP2012ZTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ZXTP2012ZTA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款晶体管 - 双极 (BJT) - 单类型器件。其具体应用场景包括但不限于以下几种:

1. 开关应用:由于 ZXTP2012ZTA 是 NPN 类型的 BJT,它可以在低电压和低电流条件下作为电子开关使用。例如,在数字电路中控制 LED 指示灯、小型继电器或其他低功耗负载。

2. 信号放大:该晶体管可用于音频或射频信号的小信号放大器设计中。它的高增益特性(典型值可达 100)使其非常适合需要放大弱电信号的应用场合,如麦克风前置放大器或者传感器信号调理电路。

3. 电流检测与保护:在电源管理领域内,可以利用此型号构建过流保护机制。通过监测流经晶体管的电流变化来实现对整个系统运行状态的安全保障功能。

4. 线性稳压器:在某些简单且成本敏感的设计中,ZXTP2012ZTA 可被用作线性稳压器的一部分,帮助调节输出电压以满足特定负载需求。

5. 脉宽调制 (PWM) 控制:对于小型电机驱动等 PWM 控制场景,该晶体管能够快速响应输入脉冲并有效控制负载的工作状态。

6. 电平转换:当不同逻辑电平之间需要进行转换时,可以采用 ZXTP2012ZTA 实现兼容性适配,比如将 TTL 信号转换为 CMOS 信号。

总之,ZXTP2012ZTA 凭借其小巧封装(SOT-23)、较低的工作电压范围(最高可达 30V)以及适中的电流承载能力(最大集电极电流 200mA),广泛适用于便携式设备、消费类电子产品及工业自动化等领域内的各种低功率应用场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS PNP LO SAT 60V 4.3A SOT89两极晶体管 - BJT 60V PNP Low Sat

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

Diodes Incorporated

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated ZXTP2012ZTA-

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产品型号

ZXTP2012ZTA

PCN其它

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RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

215mV @ 500mA,5A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 2A,1V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-89-3

其它名称

ZXTP2012ZDKR

功率-最大值

1.5W

包装

Digi-Reel®

发射极-基极电压VEBO

7 V

商标

Diodes Incorporated

增益带宽产品fT

120 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-243AA

封装/箱体

SOT-89

工厂包装数量

1000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

2100 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

4.3 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

60V

电流-集电极(Ic)(最大值)

4.3A

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

100

直流集电极/BaseGainhfeMin

100 at 10 mA at 1 V, 100 at 2 A at 1 V, 45 at 5 A at 1 V, 10 at 10 A at 1 V

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

- 60 V

集电极—基极电压VCBO

- 100 V

集电极—射极饱和电压

- 160 mV

集电极连续电流

- 4.3 A

频率-跃迁

120MHz

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