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产品简介:
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ZXMP10A17E6QTA是Diodes Incorporated推出的一款P沟道增强型MOSFET,属于晶体管中的FET类别。该器件采用SOT-26(SC-74)小型封装,具有低导通电阻和高开关效率的特点,适用于空间受限且对功耗敏感的应用场景。 其主要应用场景包括便携式电子设备,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理与负载开关控制;在电池供电系统中,常用于电池反向保护、电源路径管理和低功耗开关电路。此外,该MOSFET也广泛应用于DC-DC转换器、电压调节模块及各类低电压逻辑控制电路中,实现高效能电平切换与功率控制。 由于其符合AEC-Q101车规认证,ZXMP10A17E6QTA还适用于汽车电子系统,如车载信息娱乐系统、车身控制模块(如车窗升降、灯光控制)等对可靠性要求较高的环境。器件具备良好的热稳定性和抗干扰能力,能够在较宽温度范围内稳定工作,适合工业级和汽车级应用需求。 综上,ZXMP10A17E6QTA凭借小尺寸、低功耗和高可靠性,广泛用于消费类电子、工业控制及汽车电子中的电源开关与功率管理场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
品牌 | Diodes Incorporated |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | ZXMP10A17E6QTA |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | * |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 424pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10.7nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 350 毫欧 @ 1.4A,10V |
供应商器件封装 | SOT-26 |
其它名称 | ZXMP10A17E6QTADIDKR |
其它图纸 | |
功率-最大值 | 1.1W |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-23-6 |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.3A (Ta) |