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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供VS-1N5819TR由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VS-1N5819TR价格参考。VishayVS-1N5819TR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载VS-1N5819TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有VS-1N5819TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Semiconductor Diodes Division生产的VS-1N5819TR是一款肖特基整流二极管,其主要应用场景包括以下几个方面: 1. 电源电路中的整流 - VS-1N5819TR常用于将交流电(AC)转换为直流电(DC)的整流电路中。例如,在开关电源、线性电源或适配器中,该二极管能够高效地完成整流任务。 - 其低正向电压降(典型值为0.35V)使其在低电压应用中表现优异,减少功率损耗并提高效率。 2. 逆变器和DC-DC转换器 - 在DC-DC转换器中,VS-1N5819TR可用作续流二极管,帮助维持电流连续性并防止反向电流对电路造成损害。 - 它也适用于小型逆变器中的高频整流任务,支持高效的能量转换。 3. 保护电路 - 该二极管可用于防止电池反接或电源极性错误的情况。通过阻止反向电流流动,保护敏感电子设备免受损坏。 - 在负载切换或电机驱动电路中,VS-1N5819TR可以吸收感性负载产生的反电动势,避免电压尖峰对其他元件的影响。 4. 太阳能电池板和能源管理 - 在小型太阳能发电系统中,VS-1N5819TR可以用作防反充二极管,确保电流只能从太阳能电池流向负载或储能设备,而不会反向流动。 - 它还适合用作旁路二极管,当某块太阳能电池板被遮挡时,允许电流绕过故障模块以保持系统的正常运行。 5. 信号隔离与逻辑电路 - 在某些数字电路或模拟电路中,VS-1N5819TR可以用来隔离不同的电压源或信号路径,确保电路的稳定性和可靠性。 6. 音频和通信设备 - 肖特基二极管的快速恢复特性使VS-1N5819TR成为音频放大器、通信设备和其他高频电路的理想选择,能够有效处理高频信号的整流或保护任务。 总之,VS-1N5819TR凭借其低正向压降、快速开关速度和高可靠性,广泛应用于各种需要高效整流和保护功能的场景中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO204AL肖特基二极管与整流器 1.0 Amp 40 Volt |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | Vishay SemiconductorsVishay Semiconductor Diodes Division |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,Vishay Semiconductors VS-1N5819TR- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | VS-1N5819TRVS-1N5819TR |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 600mV @ 1A |
| 不同 Vr、F时的电容 | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 1mA @ 40V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 产品 | Schottky Rectifiers |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | DO-204AL |
| 其它名称 | 1N5819VSCT-ND |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | Vishay Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
| 封装/箱体 | DO-204AL |
| 峰值反向电压 | 40 V |
| 工作温度-结 | -40°C ~ 150°C |
| 工作温度范围 | - 65 C to + 125 C |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| 技术 | Silicon |
| 最大反向漏泄电流 | 1000 uA |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最大浪涌电流 | 25 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 0.9 V at 3.1 A |
| 正向连续电流 | 1 A |
| 电压-DC反向(Vr)(最大值) | 40V |
| 电流-平均整流(Io) | 1A |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) |
| 配置 | Single |