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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供VS-1N1190由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VS-1N1190价格参考。VishayVS-1N1190封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载VS-1N1190参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有VS-1N1190 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
VS-1N1190 是 Vishay Semiconductor Diodes Division(原 General Semiconductor)推出的高压硅整流二极管,属轴向引线玻璃钝化封装(DO-41),典型反向重复峰值电压(VRRM)为1000 V,平均整流电流(IF(AV))为1 A,正向压降约1.1 V(在1 A时),反向恢复时间较慢(属标准恢复型,非快恢复),结电容与漏电流较低。 其主要应用场景包括: 1. 工频整流电路:广泛用于50/60 Hz交流电源的桥式或单相半波/全波整流,如小型开关电源(AC-DC适配器)、LED驱动电源、家电(电视机、音响、小功率电机控制器)的初级整流环节; 2. 高压直流供电系统:适用于需耐受较高反向电压但对开关速度要求不高的场合,如电焊机辅助电源、工业控制模块中的隔离供电整流; 3. 浪涌与钳位保护:配合MOV或TVS器件,用于过压吸收回路中的续流/箝位路径(需注意其恢复特性不适用于高频箝位); 4. 低成本通用整流替代方案:在对效率与EMI要求不高、成本敏感的消费类电子中,作为1N4007的高性能替代(更高可靠性及更优参数一致性)。 需注意:该器件不适用于高频(>20 kHz)开关电源次级整流或高频谐振电路,因其反向恢复时间较长(典型值约5 μs),易引发损耗与噪声。设计时应确保散热充分(尤其在接近额定电流工作时),并留足电压裕量(建议工作电压≤70% VRRM)。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB整流器 600 Volt 35 Amp |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | Vishay SemiconductorsVishay Semiconductor Diodes Division |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,整流器,Vishay Semiconductors VS-1N1190- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | VS-1N1190VS-1N1190 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.7V @ 110A |
| 不同 Vr、F时的电容 | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 10mA @ 600V |
| 二极管类型 | 标准 |
| 产品 | Standard Recovery Rectifiers |
| 产品种类 | 整流器 |
| 供应商器件封装 | DO-203AB |
| 其它名称 | *1N1190 |
| 包装 | 散装 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 反向电压 | 600 V |
| 反向电流IR | 10000 uA |
| 商标 | Vishay Semiconductors |
| 安装类型 | 底座,接线柱安装 |
| 安装风格 | Stud |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | DO-203AB,DO-5,接线柱 |
| 封装/箱体 | DO-203AB |
| 工作温度-结 | -65°C ~ 190°C |
| 工厂包装数量 | 100 |
| 最大工作温度 | + 190 C |
| 最大浪涌电流 | 400 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 100 |
| 正向电压下降 | 1.7 V at 110 A |
| 正向连续电流 | 35 A |
| 热阻 | 0.25°C/W Cs |
| 电压-DC反向(Vr)(最大值) | 600V |
| 电流-平均整流(Io) | 35A |
| 速度 | 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) |
| 配置 | Single |