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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供VS-16CTQ100SPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VS-16CTQ100SPBF价格参考。VishayVS-16CTQ100SPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载VS-16CTQ100SPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有VS-16CTQ100SPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Semiconductor Diodes Division 的 VS-16CTQ100SPBF 是一款二极管整流器阵列,广泛应用于各种电子电路中。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - 该型号的二极管阵列常用于电源管理电路中,例如直流-直流转换器、开关电源(SMPS)和线性稳压器。它能够高效地进行电流整流,提供稳定的输出电压。 - 在电池充电电路中,VS-16CTQ100SPBF 可以用于防止电流反向流动,保护电池和电路。 2. 信号保护 - 由于其低正向电压降和高反向耐压特性,该二极管阵列可用于保护敏感电子设备免受过压或浪涌电流的影响。 - 在通信设备和工业控制系统中,它可以防止静电放电(ESD)和瞬态电压尖峰对电路的损害。 3. 电机驱动与控制 - 在电机驱动应用中,VS-16CTQ100SPBF 可用于整流和续流功能,确保电机运行平稳并减少能量损耗。 - 它适用于直流电机、步进电机和伺服电机的驱动电路。 4. 汽车电子 - 该型号符合汽车级标准,适用于汽车电子系统中的整流和保护功能。例如,在车载充电器、LED 照明系统和发动机控制单元(ECU)中使用。 - 它能够承受汽车环境中常见的高温、振动和电气噪声。 5. 消费电子产品 - 在消费电子产品(如电视、音响、家用电器)中,VS-16CTQ100SPBF 可用于电源适配器、充电器和逆变器电路。 - 其紧凑的封装设计使其适合小型化和高密度电路板布局。 6. 工业自动化 - 在工业自动化领域,该二极管阵列可用于可编程逻辑控制器(PLC)、传感器接口和变频器中,提供可靠的整流和保护功能。 - 它支持高效率的能量转换,降低热损耗,提高系统稳定性。 总结 VS-16CTQ100SPBF 凭借其高性能、可靠性和紧凑封装,适用于多种场景,包括电源管理、信号保护、电机控制、汽车电子、消费电子和工业自动化等领域。其优异的整流特性和保护能力使其成为现代电子设备的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE SCHOTTKY 100V 8A D2PAK肖特基二极管与整流器 16 Amp 100 Volt |
产品分类 | 二极管,整流器 - 阵列分离式半导体 |
品牌 | Vishay SemiconductorsVishay Semiconductor Diodes Division |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,Vishay Semiconductors VS-16CTQ100SPBF- |
数据手册 | |
产品型号 | VS-16CTQ100SPBFVS-16CTQ100SPBF |
不同If时的电压-正向(Vf) | 720mV @ 8A |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 550µA @ 100V |
二极管类型 | 肖特基 |
二极管配置 | 1 对共阴极 |
产品 | Schottky Rectifiers |
产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | VS-16CTQ100SPBF-ND |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | - |
商标 | Vishay Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK (TO-263AB) |
峰值反向电压 | 100 V |
工作温度范围 | - 55 C to + 175 C |
工厂包装数量 | 1000 |
技术 | Silicon |
最大反向漏泄电流 | 550 uA |
最大工作温度 | + 175 C |
最大浪涌电流 | 850 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
正向电压下降 | 0.88 V |
正向连续电流 | 16 A |
热阻 | 0.5°C/W Cs |
电压-DC反向(Vr)(最大值) | 100V |
电流-平均整流(Io)(每二极管) | 8A |
速度 | 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) |
配置 | Dual Common Cathode |