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- 型号： VQ1004P
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供VQ1004P由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VQ1004P价格参考。VishayVQ1004P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载VQ1004P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有VQ1004P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 VQ1004P 是一款采用 PowerPAK® 1212-8 封装的 N 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 4.5 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID 高达 100 A）及优异的热性能。其典型应用场景包括： - DC-DC 电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流 Buck 转换器，提升效率并降低温升； - 负载开关与热插拔电路：凭借低 RDS(on) 和快速开关特性，适用于主板/背板的电源管理模块，实现高效、低损耗的上电控制； - 电机驱动与电池管理系统（BMS）：在中小功率无刷直流（BLDC）电机驱动或电池保护电路中，用作高侧/低侧开关，支持大电流瞬态响应； - LED 驱动与电源模块：适用于高密度 LED 照明驱动器及模块化 AC-DC/DC-DC 电源，满足紧凑设计与高可靠性要求。 该器件支持 3.3 V/5 V 逻辑电平驱动（具备低阈值电压特性），且通过 AEC-Q101 认证（部分批次），亦可用于汽车电子辅助系统（如车身控制、车载充电模块）。其 PowerPAK 封装兼顾小尺寸与散热优势，适合空间受限、强调能效与可靠性的中高功率应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH QD 60V .4A TO-205MOSFET QD 60V 0.46A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | +/- 460 mA |
| Id-连续漏极电流 | 460 mA |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 过渡期间含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix VQ1004P* |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | VQ1004PVQ1004P |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.5 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.5 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/箱体 | TO-205AD-14 |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 25 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Quad |
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