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详细数据请看参考数据手册
- 型号： VQ1001P
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供VQ1001P由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VQ1001P价格参考。VishayVQ1001P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载VQ1001P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有VQ1001P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 VQ1001P 是一款双通道、N沟道增强型功率MOSFET阵列（含集成驱动与保护功能），采用小型DFN-8封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值约25 mΩ @ Vgs=10V）、快速开关特性及内置ESD保护和过热关断功能。其典型应用场景包括： 1. 负载开关与电源管理：用于便携式设备（如智能手机、平板、TWS耳机）中的主/辅电源路径控制，实现高效启停与电池保护； 2. DC-DC转换器同步整流：在降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）拓扑中作为同步整流管，提升转换效率（尤其适用于3–20V输入、1–5A输出的中功率应用）； 3. 电机驱动与LED驱动：适用于微型直流电机（如振动马达、风扇）及多路LED背光/指示灯的PWM调光控制，支持高频（≤1MHz）开关； 4. 热插拔与USB Type-C PD接口保护：配合控制器实现端口过流/短路保护及软启动，满足USB PD 3.0安全要求； 5. 工业IoT节点与传感器模块供电：在空间受限的嵌入式系统中，替代分立MOSFET+驱动方案，简化PCB布局并提升可靠性。 该器件工作结温范围为−55°C至+150°C，支持无铅回流焊，符合AEC-Q101（部分批次），亦可用于汽车电子辅助系统（如车载充电器、ECU外围驱动）。需注意其栅极阈值电压（Vgs(th)≈1.0–2.5V）适合3.3V/5V逻辑电平直接驱动，但高侧配置时建议加设电平移位电路。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 4N-CH 30V 830MA 14DIPMOSFET QD 30V 0.53A |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 4 个 N 通道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 830 mA |
| Id-连续漏极电流 | 830 mA |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 过渡期间含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix VQ1001P- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | VQ1001PVQ1001P |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 110pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.75 欧姆 @ 200mA， 5V |
| 产品种类 | N-Channel MOSFETs |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | * |
| 单位重量 | 1.200 g |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | * |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 1 Ohms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | - |
| 封装/箱体 | SBCDIP-14 |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 25 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 830 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 830mA |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Quad |
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