图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： VQ1001P
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供VQ1001P由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VQ1001P价格参考。VishayVQ1001P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载VQ1001P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有VQ1001P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 4N-CH 30V 830MA 14DIPMOSFET QD 30V 0.53A |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 4 个 N 通道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 830 mA |
| Id-连续漏极电流 | 830 mA |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 过渡期间含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix VQ1001P- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | VQ1001PVQ1001P |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 110pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.75 欧姆 @ 200mA， 5V |
| 产品种类 | N-Channel MOSFETs |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | * |
| 单位重量 | 1.200 g |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | * |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 1 Ohms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | - |
| 封装/箱体 | SBCDIP-14 |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 25 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 830 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 830mA |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Quad |
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