Datasheet下载- 型号： VQ1001P-2
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供VQ1001P-2由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VQ1001P-2价格参考。VishayVQ1001P-2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载VQ1001P-2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有VQ1001P-2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 VQ1001P-2 是一款双通道、N沟道增强型功率MOSFET阵列（采用TSOP-6封装），具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 35 mΩ @ VGS = 4.5 V）、逻辑电平驱动能力（1.8 V阈值兼容）、高开关速度及集成ESD保护等特性。其典型应用场景包括： - 便携式电子设备电源管理：如智能手机、平板电脑中的负载开关、电池充放电路径控制，利用其双MOSFET结构实现高效同步整流或反向电流阻断。 - DC-DC转换器次级侧同步整流：在降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）转换器中替代肖特基二极管，显著降低导通损耗，提升能效（尤其适用于12 V→3.3 V/5 V等中低压输出场景）。 - 热插拔与电源排序电路：双MOSFET可配置为背对背连接，用于防止反向电流、实现浪涌电流限制及多电源域上电时序控制。 - LED驱动与电机驱动辅助开关：在小型步进电机或直流无刷电机的H桥驱动中，用作低端开关或电流检测路径开关；亦可用于RGB LED调光电路中的PWM通断控制。 - 工业与通信设备板级电源分配：如PoE（以太网供电）受电端（PD）的输入级保护、FPGA/CPU核心电压的多相VRM辅助开关等。 该器件支持AEC-Q101可靠性认证（部分版本），亦适用于汽车信息娱乐系统等严苛环境。其小尺寸TSOP-6封装和低驱动要求，特别适合空间受限、强调能效与快速响应的嵌入式电源设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 4N-CH 30V 830MA 14DIP |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 4 个 N 通道 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | VQ1001P-2 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 110pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.75 欧姆 @ 200mA， 5V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | - |
| 标准包装 | 25 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 830mA |
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