Datasheet下载- 型号： VP1008B
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供VP1008B由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VP1008B价格参考。VishayVP1008B封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载VP1008B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有VP1008B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
VP1008B 是 Vishay Siliconix 推出的一款 P 沟道增强型 MOSFET，采用 SOT-23 封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 0.8Ω @ VGS = −4.5V）、低栅极电荷（Qg ≈ 2.3nC）和小尺寸等特性。其典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS 耳机、智能手表中的负载开关或电池保护电路，用于实现低功耗、快速启停的电源通断控制； 2. LED 驱动与背光控制：在小型 LCD 或 OLED 显示模块中作为电流开关，实现 PWM 调光； 3. DC-DC 转换器同步整流：适用于低压（如 3.3V/5V 输入）、小功率（<1W）升压或降压拓扑中的续流开关； 4. 逻辑电平转换与接口保护：配合微控制器（如 GPIO 输出 3.3V）驱动外部负载，提供反向电压/过流隔离； 5. 电池供电系统中的反向电流阻断：例如在双电池备份或 USB 供电路径中防止电池倒灌。 该器件额定电压为 −20V，连续漏极电流达 −1.6A（TA=25°C），适合空间受限、对效率和响应速度有要求的低压、中低电流场景。需注意其为 P 沟道结构，常用于高侧开关配置，设计时应确保栅极驱动满足负压关断需求（如使用电平移位或专用驱动）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 100V .79A TO-205 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | VP1008B |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 150pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5 欧姆 @ 1A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-39 |
| 功率-最大值 | 6.25W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-205AD，TO-39-3 金属罐 |
| 标准包装 | 100 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 790mA （Ta） |
推荐商品
(SN).jpg)
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
VP1008B 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商