Datasheet下载- 型号： VP0808B-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供VP0808B-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VP0808B-E3价格参考。VishayVP0808B-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载VP0808B-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有VP0808B-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
VP0808B-E3 是 Vishay Siliconix 推出的一款 P 沟道增强型 MOSFET，采用 SOT-23 封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 80 mΩ @ VGS = −4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 3.5 nC）和快速开关特性。其额定电压为 −20 V，连续漏极电流为 −1.9 A（TA = 25°C），适合低压、小功率应用。 典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS 耳机、可穿戴设备中的负载开关或电池保护电路，利用其低功耗与小尺寸优势； ✅ 高效率 DC-DC 转换器同步整流：在降压（Buck）转换器中作为同步整流管，提升轻载效率； ✅ 反向电压/极性保护电路：P-MOSFET 常用于输入端防反接设计，VP0808B-E3 可在 3.3V–5V 系统中可靠工作； ✅ LED 驱动与背光控制：用于中小电流 LED 的开关调光（PWM 控制），响应快、发热低； ✅ 逻辑电平兼容的信号切换：支持 2.5V–4.5V 栅极驱动，可直接由 MCU GPIO 控制，简化外围电路。 该器件具备无铅（RoHS 合规）、热稳定性好及高可靠性等特点，适用于空间受限、注重能效与成本平衡的消费类及工业级嵌入式系统。注意使用时需合理布局散热路径（如敷铜面积），并避免超过最大结温（150°C）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 80V 880MA TO-205 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | VP0808B-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 150pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5 欧姆 @ 1A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-39 |
| 功率-最大值 | 6.25W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-205AD，TO-39-3 金属罐 |
| 标准包装 | 100 |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 880mA （Ta） |
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